1、產(chǎn)品特點(diǎn)：
EIGER2 R CdTe 1M X 射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的新發(fā)展和碲化鎘感光像素的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí)， EIGER2 R CdTe 1M 是良好的選擇。
2、核心優(yōu)勢(shì)：
– 高的量子效率、更短的測(cè)試時(shí)間和更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)
– 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使得計(jì)數(shù)率大幅度提高
– 雙能閾值，可用于低背景和高背景的抑制
– 無讀出噪音和暗電流，確保了很好的信噪比
– 計(jì)數(shù)器具有同時(shí)讀/寫功能，確保了高動(dòng)態(tài)范圍和無飽和的圖像
3、應(yīng)用領(lǐng)域：
- 大分子晶體學(xué)（MX）；
- 化學(xué)結(jié)晶學(xué)；
- 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS）；
- μCT；
- 其它；
4、技術(shù)參數(shù)：
EIGER2 R CdTe | 500K | 1M | 4M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 | 1 x 2 | 2 x 4 |
有效面積：寬x高 [mm2] | 77.1 x 38.4 | 77.1 x 79.7 | 155.1 X 162.2 |
像素大小 [μm2] | 75 x 75 | ||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel | ||
能量閾值 | 2 | ||
能量范圍[KeV] | 8-24.2 | ||
閾值范圍[KeV] | 4-30 | ||
最大計(jì)數(shù)率（cps/mm2） | 9.8×108 | ||
計(jì)數(shù)器深度（bit/threshold） | 2×16 | ||
采集模式 | 同時(shí)讀/寫，死區(qū)時(shí)間為零 | ||
圖像位深度（bit） | 32 | ||
可選真空兼容 | Yes | ||
冷卻方式 | 水冷 | ||
尺寸（WHD）[mm3] | 114 x 92 x 242 | 114 x 133 x 242 | 235 x 237 x 372 |
重量 [kg] | 3.7 | 3.9 | 15 |
010-62712978，136911 11138
